Жёсткий диск Samsung MZ-77E2T0BW

Жёсткий диск Samsung MZ-77E2T0BW представляет собой высокопроизводительный твердотельный накопитель (SSD) из популярной линейки Samsung 870 EVO, разработанный для значительного повышения скорости и эффективности работы вашего персонального компьютера или ноутбука. Благодаря передовой технологии V-NAND, этот накопитель обеспечивает исключительную производительность и надёжность, делая его идеальным выбором как для повседневных задач, так и для требовательных приложений.

С объёмом 2 ТБ, Жёсткий диск Samsung MZ-77E2T0BW предоставляет обширное пространство для хранения операционной системы, программ, игр и больших объёмов данных, при этом значительно сокращая время загрузки и отклика системы. Накопитель выполнен в стандартном форм-факторе 2.5 дюйма и использует интерфейс SATA III, что гарантирует широкую совместимость с большинством современных и прошлых поколений компьютеров.

Одной из ключевых особенностей Жёсткий диск Samsung MZ-77E2T0BW являются его впечатляющие скоростные характеристики. Скорость последовательного чтения достигает до 560 МБ/с, а скорость последовательной записи — до 530 МБ/с. Это позволяет быстро передавать большие файлы, запускать ресурсоёмкие приложения и наслаждаться плавной работой системы. Интеллектуальная технология Intelligent TurboWrite с увеличенным объемом изменяемого буфера дополнительно оптимизирует скорость записи и поддерживает стабильно высокую производительность.

Надёжность Жёсткий диск Samsung MZ-77E2T0BW подтверждается высоким ресурсом записи (TBW) в 1200 ТБ и внушительным временем наработки на отказ (MTBF) в 1.5 миллиона часов, обеспечивая долгий срок службы и сохранность ваших данных. Накопитель также поддерживает функции TRIM для поддержания оптимальной производительности и аппаратное шифрование AES 256-bit для защиты информации.

Основные технические характеристики:

• Модель: Samsung MZ-77E2T0BW (Samsung 870 EVO)
• Объем накопителя: 2 ТБ (2000 ГБ)
• Форм-фактор: 2.5 дюйма
• Интерфейс: SATA III (SATA 6 Гбит/с)
• Тип флэш-памяти: Samsung V-NAND 3D TLC (3-bit MLC)
• Контроллер: Samsung MKX
• Скорость последовательного чтения: До 560 МБ/с
• Скорость последовательной записи: До 530 МБ/с
• Ресурс записи (TBW): 1200 ТБ
• Среднее время наработки на отказ (MTBF): 1 500 000 часов
• Буфер DRAM: 2048 МБ
• Поддержка TRIM: Да
• Аппаратное шифрование: AES 256-bit
• Толщина: 6.8 мм