SSD накопитель Samsung 870 EVO 4Tb (MZ-77E4T0B/EU)

SSD накопитель Samsung 870 EVO 4Tb (MZ-77E4T0B/EU) — это высокопроизводительное решение для хранения данных, разработанное для широкого круга пользователей, от обычных ПК до профессиональных рабочих станций. Этот накопитель обеспечивает значительное ускорение работы системы и приложений благодаря передовым технологиям Samsung.

Накопитель Samsung 870 EVO 4Tb (MZ-77E4T0B/EU) является последней моделью в популярной серии SSD от Samsung, унаследовавшей лучшие черты своих предшественников. Он предлагает впечатляющую производительность, надежность и широкую совместимость. Благодаря форм-фактору 2.5 дюйма и стандартному интерфейсу SATA 6 Гбит/с, Samsung 870 EVO 4Tb (MZ-77E4T0B/EU) легко интегрируется в большинство настольных компьютеров и ноутбуков. Скорость последовательного чтения до 560 МБ/с и записи до 530 МБ/с позволяет мгновенно загружать операционную систему, запускать приложения и передавать большие объемы данных.

В основе Samsung 870 EVO 4Tb (MZ-77E4T0B/EU) лежит фирменный контроллер Samsung MKX и 128-слойная флеш-память Samsung V-NAND 3-bit MLC (TLC), что гарантирует высокую скорость и долговечность. Технология Intelligent TurboWrite ускоряет запись данных, поддерживая высокую производительность даже при длительных операциях. Накопитель обладает выдающимся ресурсом перезаписи до 2400 TBW (терабайт записанных данных), что подтверждает его исключительную надежность и долговечность, подкрепленную 5-летней ограниченной гарантией. Кроме того, Samsung 870 EVO 4Tb (MZ-77E4T0B/EU) поддерживает аппаратное шифрование данных Class 0 (AES 256) TCG/Opal v2.0 и MS eDrive (IEEE1667), обеспечивая дополнительную защиту вашей информации.

Основные технические характеристики:

• Модель: Samsung 870 EVO 4Tb (MZ-77E4T0B/EU)
• Объем: 4 ТБ (4000 ГБ)
• Форм-фактор: 2.5" (толщина 7 мм)
• Интерфейс: SATA 6 Гбит/с (SATA III), обратная совместимость с SATA 3 Гбит/с и 1.5 Гбит/с
• Скорость последовательного чтения: до 560 МБ/с
• Скорость последовательной записи: до 530 МБ/с
• Тип флеш-памяти: Samsung V-NAND 3-bit MLC (TLC), 128-слойная
• Контроллер: Samsung MKX
• Кэш-память DRAM: 4 ГБ LPDDR4
• Ресурс перезаписи (TBW): 2400 ТБ
• Среднее время наработки на отказ (MTBF): 1.5 миллиона часов
• Максимальная скорость произвольного чтения (4 КБ, QD32): 98000 IOPS
• Максимальная скорость произвольной записи (4 КБ, QD32): 88000 IOPS
• Скорость произвольного чтения (4 КБ, QD1): 13000 IOPS
• Скорость произвольной записи (4 КБ, QD1): 13000 IOPS
• Размеры (ШxВxГ): 100 x 69.85 x 6.8 мм
• Вес: 48 г
• Гарантия: 5 лет ограниченная гарантия
• Шифрование: Class 0 (AES 256) TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)