SSD-накопитель Samsung 9100 PRO 4Tb (MZ-VAP4T0CW)

SSD-накопитель Samsung 9100 PRO 4Tb (MZ-VAP4T0CW) представляет собой высокопроизводительное решение для хранения данных, разработанное для самых требовательных пользователей и современных систем. Этот накопитель обеспечивает выдающуюся скорость и надежность, что делает его идеальным выбором для игровых компьютеров, рабочих станций, а также для задач, связанных с обработкой больших объемов данных, таких как ИИ и видеомонтаж в 8K.

Благодаря использованию интерфейса PCIe 5.0 x4 и протокола NVMe 2.0, Samsung 9100 PRO 4Tb (MZ-VAP4T0CW) способен достигать впечатляющих скоростей последовательного чтения до 14800 МБ/с и последовательной записи до 13400 МБ/с. Это значительно ускоряет загрузку операционной системы, приложений и игр, а также обеспечивает быструю передачу файлов.

Накопитель выполнен в популярном форм-факторе M.2 2280, что обеспечивает его совместимость с большинством современных материнских плат стационарных ПК и многими ноутбуками. Наличие радиатора в комплекте поставки способствует эффективному отводу тепла, что крайне важно для поддержания стабильной производительности при высоких нагрузках и предотвращения перегрева.

В основе Samsung 9100 PRO 4Tb (MZ-VAP4T0CW) лежит собственный контроллер Samsung Presto (5 нм) и флэш-память Samsung 8-го поколения V-NAND TLC, что гарантирует высокую производительность, энергоэффективность и долговечность. Модель на 4 ТБ обладает высоким ресурсом записи (TBW) в 2400 ТБ, что подтверждает ее надежность и долговечность даже при интенсивном использовании.

Накопитель также совместим с игровыми консолями, такими как PlayStation 5, благодаря своим характеристикам и компактным размерам. Технология Magician Software от Samsung позволяет поддерживать актуальность прошивки, обеспечивает дополнительное шифрование и постоянный мониторинг состояния диска.

Основные технические характеристики:

• Объем: 4 ТБ
• Форм-фактор: M.2 2280
• Интерфейс: PCIe 5.0 x4
• Протокол: NVMe 2.0
• Скорость последовательного чтения: до 14800 МБ/с
• Скорость последовательной записи: до 13400 МБ/с
• Контроллер: Samsung Presto (собственный, 5 нм)
• Тип флэш-памяти: Samsung V-NAND TLC (8-го поколения)
• Кэш DRAM: 4 ГБ LPDDR4X (для модели 4 ТБ)
• Ресурс записи (TBW): 2400 ТБ
• Произвольное чтение (QD32): до 2.2 млн IOPS (для 4 ТБ)
• Произвольная запись (QD32): до 2.6 млн IOPS
• Время наработки на отказ (MTBF): 1.5 млн часов
• Энергопотребление (активное): чтение до 9.0 Вт, запись до 8.2 Вт
• Поддержка шифрования: AES 256-бит, TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
• Наличие радиатора: Да
• Гарантия: 5 лет