Жёсткий диск Samsung MZ-77E2T0B/EU

Жёсткий диск Samsung MZ-77E2T0B/EU — это высокопроизводительный твердотельный накопитель (SSD) из популярной серии Samsung 870 EVO, предназначенный для значительного ускорения работы вашего ПК или ноутбука. Благодаря использованию передовой технологии V-NAND и контроллера Samsung MKX, этот SSD обеспечивает выдающуюся скорость, надежность и совместимость, отвечая потребностям как обычных пользователей, так и профессионалов, работающих с ресурсоемкими задачами, такими как обработка видео в формате 8K.

Накопитель Samsung MZ-77E2T0B/EU обладает форм-фактором 2.5 дюйма и толщиной всего 6.8 мм, что делает его совместимым с большинством современных настольных компьютеров и ноутбуков. Он подключается через интерфейс SATA III (6 Гбит/с), который также обратно совместим с SATA II (3 Гбит/с) и SATA I (1.5 Гбит/с).

Основные преимущества Жёсткого диска Samsung MZ-77E2T0B/EU включают высокую скорость последовательного чтения до 560 МБ/с и последовательной записи до 530 МБ/с, что позволяет значительно сократить время загрузки операционной системы, запуска приложений и передачи файлов. Технология Intelligent TurboWrite с увеличенным объемом буфера дополнительно повышает скорость записи и поддерживает стабильно высокую производительность. Помимо этого, накопитель поддерживает функции TRIM и S.M.A.R.T. для оптимизации производительности и мониторинга состояния.

Надежность Жёсткого диска Samsung MZ-77E2T0B/EU подтверждается высоким ресурсом записи до 1200 TBW (терабайт записанных данных) и средней наработкой на отказ (MTBF) в 1.5 миллиона часов. Это гарантирует долгий срок службы даже при интенсивном использовании. Накопитель также оснащен аппаратным шифрованием AES 256 бит для защиты ваших данных.

Основные технические характеристики:

• Наименование модели: Samsung MZ-77E2T0B/EU
• Серия: 870 EVO
• Тип накопителя: SSD (твердотельный накопитель)
• Объем памяти: 2 ТБ (2000 ГБ)
• Форм-фактор: 2.5 дюйма
• Интерфейс: SATA III (6 Гбит/с)
• Тип памяти NAND: 3D V-NAND TLC (3-bit MLC)
• Контроллер: Samsung MKX
• Скорость последовательного чтения: до 560 МБ/с
• Скорость последовательной записи: до 530 МБ/с
• Ресурс записи (TBW): 1200 ТБ
• Средняя наработка на отказ (MTBF): 1.5 миллиона часов
• Толщина: 6.8 мм
• Энергопотребление (макс.): 4.5 Вт
• Ударостойкость: 1500G/0.5 мс
• Аппаратное шифрование: AES 256 бит, IEEE1667, TCG/Opal
• Поддержка технологий: TRIM, S.M.A.R.T., Intelligent TurboWrite, Garbage Collection